全球正處于能源轉型的關鍵時刻，為應對氣候變遷、減少環(huán)境污染，尋找潔凈、可再生的能源已成為刻不容緩的任務。傳統(tǒng)化石燃料的使用不僅帶來嚴重的環(huán)境問題，其資源的有限性也促使我們必須開發(fā)永續(xù)的替代方案。在此背景下，氫能以其高能量密度、燃燒產物僅為水、可儲存、可運輸?shù)葍?yōu)勢，被視為21世紀具潛力的清潔能源載體。然而，目前全球95%以上的氫氣來自化石燃料重組，其生產過程仍伴隨著大量的碳排放。因此，利用可再生能源制備的「綠色氫能」才是實現(xiàn)能源永續(xù)發(fā)展的理想途徑。
在眾多綠色制氫技術中，利用取之不盡、用之不竭的太陽能直接分解水（H?O）產生氫氣（H?）和氧氣（O?），無疑是具吸引力的解決方案之一。太陽能水分解技術，主要包括光催化（Photocatalysis, PC）和光電化學（Photoelectrochemical, PEC），其核心優(yōu)勢在于直接將太陽能轉化為化學能儲存在氫分子中，原料僅為陽光和水，過程潔凈無污染。
相較于「太陽能光伏發(fā)電+電解水」（PV-EC）的兩步法，PEC技術將光吸收和電化學催化整合在單一器件中，理論上具有更簡潔的系統(tǒng)設計、更低的能量損耗以及更有效地利用太陽光中的熱能等潛在優(yōu)勢。特別是PEC系統(tǒng)，其陽極和陰極（或光陽極和光陰極）在空間上的分離，使得產生的氫氣和氧氣能夠自動分開收集，避免了混合爆炸的風險以及逆反應的發(fā)生，這是某些分布式光催化系統(tǒng)面臨的難題。
PEC水分解的概念最早由Fujishima和Honda在1972年提出并驗證，至今已有半個世紀的研究歷史。盡管科學家們在材料開發(fā)和效率提升方面取得了顯著進展，例如使用III-V族半導體在實驗室條件下實現(xiàn)了接近20%的太陽能到氫能（Solar-to-Hydrogen, STH）轉換效率，但該技術距離大規(guī)模商業(yè)化應用仍面臨嚴峻挑戰(zhàn)。材料的穩(wěn)定性、量子效率、生產成本以及器件的放大制備等問題，都是阻礙其發(fā)展的關鍵瓶頸。PEC技術的雙重承諾——既能產生能源，又能以化學形式儲存能源——使其在應對可再生能源間歇性方面具有特別的價值。然而，漫長的發(fā)展歷程和至今未能克服的障礙恰恰說明了此技術的復雜性，亟需在基礎材料科學和精準量測技術上取得突破。
圖片來源：Opportunities and Challenges of Industrialization of Hydrogen－The Photocatalyst effect (Fujishima et al., 1972)
光電化學（PEC）水分解的核心是利用半導體材料吸收太陽光能，并利用光生電荷載流子驅動水的氧化還原反應，最終生成氫氣和氧氣。
一個典型的PEC電池主要由以下幾個部分構成：至少一個半導體光電極（光陽極或光陰極，或兩者皆有）、一個對電極（通常是惰性導體或另一個光電極）、傳導離子的電解質溶液，以及用于分隔產物氣體的隔膜（可選）。
其工作過程大致可分為以下三個關鍵步驟：
當能量大于或等于半導體材料能隙（Band Gap, Eg）的光子照射到光電極表面時，會被材料吸收。為了有效利用太陽光譜，理想的半導體材料應具有合適的能隙值。從熱力學角度看，分解水所需的最小能量為1.23 eV，對應波長約為1008 nm。然而，考慮到反應動力學中的過電位（Overpotential）損耗，實際有效分解水通常需要約1.7-2.0 V的電壓，這意味著單一半導體材料的能隙需要大于此值才能在無外加偏壓下工作，但過大的能隙會導致對太陽光譜的可見光部分利用不足。
光子吸收后，半導體價帶（Valence Band, VB）中的電子（e?）被激發(fā)躍遷至導帶（Conduction Band, CB），同時在價帶留下一個帶正電的空穴（h?），形成電子-空穴對。為了使這些光生載流子能夠驅動水分解反應，它們必須有效分離并傳輸?shù)礁髯缘姆磻稽c，避免發(fā)生復合。這主要依賴于半導體與電解質接觸界面處形成的空間電荷層（Space Charge Layer）所產生的內建電場。對于n型半導體光陽極，界面處能帶向上彎曲，內建電場將空穴驅向半導體/電解質界面，將電子驅向體相及外電路。對于p型半導體光陰極，情況則相反。
分離后的電荷載流子到達電極表面后，參與水的氧化和還原反應：
在光陽極(Photoanode)表面：光生空穴具有強氧化性，將水分子氧化生成氧氣和質子（酸性介質）或氫氧根離子（堿性介質）。典型的反應式為（以酸性介質為例）：2H2O + 4h+ → O2 + 4H+ 這是析氧反應（Oxygen Evolution Reaction, OER）。
在光陰極(Photocathode)或對電極(Counter Electrode)表面：從外電路傳導過來的電子具有還原性，將水中的質子（酸性介質）或水分子（中性/堿性介質）還原生成氫氣。典型的反應式為（以酸性介質為例）：2H+ + 2e? → H2 這是析氫反應（Hydrogen Evolution Reaction, HER）。
圖片來源：Perovskite Oxide-Based Electrodes for High-Performance Photoelectrochemical Water Splitting－PEC水分解原理
為了使整個水分解反應能夠自發(fā)進行（即無需外加電壓偏置），半導體材料的能帶結構必須滿足特定的熱力學要求：其導帶底的電位必須比HER的還原電位（E(H+/H2)）更負，同時其價帶頂?shù)碾娢槐仨毐萇ER的氧化電位（E(O2/H2O)）更正。
換句話說，半導體的能帶邊緣必須「跨過」水的氧化還原電位。然而，僅滿足熱力學條件是不夠的。實際反應中，HER和OER都需要克服一定的活化能，即過電位，這使得實際所需電壓高于1.23V。為了降低過電位、提高反應速率，通常需要在光電極表面負載助催化劑（Co-catalysts），例如貴金屬（Pt用于HER）或過渡金屬氧化物/硫化物（用于OER或HER）。
PEC技術的效率從根本上受限于光生載流子的產生、分離、傳輸和表面反應動力學之間復雜的競爭關系。光生電子-空穴對在到達反應位點之前，極易通過直接復合或通過材料缺陷/表面態(tài)輔助復合而損失掉，釋放能量為熱或光。不幸的是，載流子復合通常發(fā)生在納秒（10?9s）甚至皮秒（10?12s）的時間尺度上，而表面電化學反應的速率則慢得多，往往在毫秒（10?3s）或更長的時間尺度。這種時間尺度上的巨大差異意味著大部分光生載流子在有機會參與反應之前就已經復合消失了。因此，提高PEC效率的核心策略之一就是通過材料設計（如納米結構化、構建異質結）和負載高效助催化劑來加速電荷的分離、傳輸和表面反應速率，同時抑制復合過程。
此外，材料選擇本身也存在內在的矛盾。理想的太陽能吸收材料其能隙應在1.34 eV附近以有效利用太陽光譜，但如前所述，實際水分解需要約1.7-2.0 V的電壓，且要求能帶位置匹配。通常，具有較小能隙、吸光能力強的材料（如Si）往往能帶位置不匹配或在電解液中不穩(wěn)定；而能帶位置合適且較穩(wěn)定的材料（如一些寬能隙氧化物TiO?, WO?）則對太陽光的利用率不高。這種能隙、能帶位置和穩(wěn)定性之間的固有權衡，迫使研究人員探索更復雜的解決方案，例如將兩種或多種不同能隙的半導體堆疊起來構成疊層（Tandem）器件，以更寬的光譜范圍吸收太陽光并提供足夠高的電壓，或者施加一定的外部偏壓來輔助反應進行，但這些策略無疑增加了系統(tǒng)的復雜性和成本。
| 特征 | 光電化學(PEC)水分解 | 光催化(PC)水分解 |
|---|---|---|
| 基本原理 | 光吸收與電化學反應在電極/電解質界面進行，通常需要外電路連接 | 半導體顆粒懸浮或固定在基底上，光吸收與催化反應在同一顆粒表面進行 |
| 系統(tǒng)構成 | 光電極、對電極、電解質、(隔膜) | 光催化劑粉末/薄膜、水 |
| 電荷傳輸 | 光生電荷通過體相和外電路傳輸至反應位點 | 光生電荷在催化劑顆粒內部及表面?zhèn)鬏?/td> |
| 氣體分離 | H?和O?分別在不同電極產生，易于分離 | H?和O?在同一催化劑表面產生，易混合，分離困難且有爆炸風險 |
| 效率表征 | STH效率、光電流密度(J-V)、量子效率(EQE/IPCE) | 產氫/產氧速率、量子產率(QY)/表觀量子效率(AQE) |
| 主要挑戰(zhàn) | 電極穩(wěn)定性，效率，放大制備 | 氣體分離，量子效率低，催化劑回收/穩(wěn)定性 |
| 典型材料 | III-V族，Si，F(xiàn)e?O?，BiVO?，WO?，Cu?O等 | TiO?，CdS，g-C?N?，金屬硫化物/氧化物等 |
盡管PEC水分解技術潛力巨大，但其商業(yè)化之路仍面臨效率、穩(wěn)定性和規(guī)?；杀具@三大核心挑戰(zhàn)。要有效應對這些挑戰(zhàn)，精準可靠的性能量測，特別是IV曲線和量子效率(QE/IPCE)分析，扮演著重要的角色。
太陽能到氫能轉換效率(STH)是最終目標，但目前距離商業(yè)化目標仍有差距，尤其對于低成本材料體系，低量子效率(QE/IPCE)是限制STH的主要瓶頸之一，主要源于光生載流子的快速復合以及部分材料對太陽光譜利用不充分。
因此，精確測量EQE/IPCE光譜對于量化這些光子到電子的轉換損失、識別限制效率的波長范圍、評估材料本征光電轉換能力是重要表征技術。只有通過準確的QE分析，才能客觀評價各種效率提升策略（如納米結構、疊層器件、助催化劑等）的真實效果，并指導進一步的材料與器件優(yōu)化。
圖片來源：A comprehensive machine learning strategy for designing high-performance photoanode catalysts-Figure 1
光電極在苛刻的電解液環(huán)境和光照條件下易發(fā)生腐蝕，導致性能衰減，長期穩(wěn)定運行（數(shù)千小時）是巨大挑戰(zhàn)。要評估材料的真實穩(wěn)定性，必須依賴長期、連續(xù)的性能監(jiān)測，其中，通過IV曲線周期性地獲取光電流密度、起始電位等關鍵參數(shù)的變化趨勢，是量化性能衰減速率、判斷失效機制、評估保護層或新型穩(wěn)定材料有效性的核心手段。精準的IV量測數(shù)據(jù)是區(qū)分真實穩(wěn)定性提升與實驗偶然性的關鍵依據(jù)。同時，效率與穩(wěn)定性之間往往存在權衡，可靠的IV和QE數(shù)據(jù)有助于研究者在尋求最佳平衡點時做出明智決策。
圖片來源：Achieving 12.0% Solar-to-Hydrogen Efficiency with a Trimetallic-Layer-Protected and Catalyzed Silicon Photoanode Coupled with an Inexpensive Silicon Solar Cell－Fig. S8.
將實驗室成果放大到工業(yè)規(guī)模面臨諸多工程挑戰(zhàn)，如大面積制備的均勻性、基底電阻、反應器設計以及高成本材料的使用等。在此過程中，對大面積樣品或模塊進行準確的IV和QE表征，是驗證放大工藝可行性、評估性能均勻性、比較不同規(guī)?；呗詢?yōu)劣的基礎。缺乏標準化、可信賴的大面積量測技術，將嚴重阻礙從實驗室到工廠的轉化。解決「重材料、輕工程」的脫節(jié)問題，亟需將精準量測貫穿于從材料開發(fā)到系統(tǒng)集成的整個鏈條，確保實驗室的優(yōu)化能夠有效轉化為實際應用中的性能提升。
應對PEC水分解的效率、穩(wěn)定性和規(guī)?；魬?zhàn)，離不開精準量測提供的「眼睛」和「標尺」。準確的IV和QE數(shù)據(jù)不僅是評價當前性能的指針，更是指引未來研究方向、驗證改進效果、推動技術最終走向實用的關鍵驅動力。
在PEC水分解的研究中，準確、可靠且標準化的性能表征是評估材料潛力、指導實驗方向、比較不同研究成果以及推動技術進步的基石。缺乏統(tǒng)一的測試標準和方法，會導致不同實驗室或不同研究人員測得的結果難以比較，甚至相互矛盾，嚴重阻礙了該領域的健康發(fā)展。在眾多表征手段中，電流-電壓（IV）特性曲線和量子效率（QE）/入射光子-電子轉換效率（IPCE）譜是最基本也是最重要的兩種電化學和光電性能量測方法。
IV曲線描述了在外加電壓變化時，流過PEC電池或光電極的電流響應。
通常在三電極體系中進行，包括待測的工作電極（WE，即光電極樣品）、對電極（CE，通常為鉑絲或石墨）和參考電極（REF，如Ag/AgCl或SCE），通過恒電位儀控制電壓并記錄電流。量測需在精確控制的光照條件下（通常使用經過校準的太陽光模擬器模擬AM1.5G光譜）和黑暗條件下分別進行。對于評估完整器件的STH效率，則采用兩電極體系（光電極與對電極直接連接）進行量測。
從IV曲線中可以提取一系列關鍵性能參數(shù)：
光電流密度(Photocurrent Density, Jph)：光照下的電流密度與暗電流密度之差，直接反映了光電極的光電活性。
起始電位(Onset Potential)：光電流開始出現(xiàn)的電位，與水分解反應的熱力學勢壘和動力學過電位相關。
開路電壓(Open-Circuit Voltage, Voc)/光電壓(Photovoltage)：零電流條件下的電壓，反映了光照下半導體能帶彎曲的程度和器件能產生的最大電壓（主要用于PV-PEC或疊層器件）。
短路電流密度(Short-Circuit Current Density, Jsc)：外加偏壓為零時的電流密度，是計算STH效率的重要參數(shù)（兩電極體系）。
填充因子(Fill Factor, FF)：FF=(Jmax×Vmax)/(Jsc×Voc)，描述IV曲線的「方度」，反映了器件內部串聯(lián)電阻、并聯(lián)電阻以及復合損失的大小。FF越高，器件質量越好。
能量轉換效率(PCE/STH)：對于兩電極體系，STH效率可由最大功率點(Pmax=Jmax×Vmax)除以入射光功率(Pin)計算得到：STH=(Jsc×Voc×FF)/Pin（此處Voc指兩電極體系開路電壓，且需考慮產氫的法拉第效率）。
IV曲線是評估光電極或PEC器件整體性能的基礎。它不僅提供了效率、光響應活性等宏觀信息，還能揭示器件的工作特性、內阻、復合損耗等內部機制，為材料優(yōu)化和器件設計提供關鍵依據(jù)。
圖片來源：Activating a Semiconductor–Liquid Junction via Laser-Derived Dual Interfacial Layers for Boosted Photoelectrochemical Water Splitting－Fig 3a
QE或IPCE量測的是在某一特定波長下，器件將入射光子轉換為外部電路中收集到的電子的效率。
外部量子效率(External Quantum Efficiency, EQE或IPCE)：定義為收集到的電子數(shù)與入射到器件表面的光子數(shù)之比：EQE(λ)=收集到的電子數(shù)/入射的光子數(shù)×100%。EQE考慮了所有光學損失（如反射、透射、非活性層吸收）。
內部量子效率(Internal Quantum Efficiency, IQE)：定義為收集到的電子數(shù)與被器件活性層吸收的光子數(shù)之比。IQE排除了光學損失，更能反映材料本身的光電轉換能力和電荷收集效率。通常EQE=IQE×(1?R)，其中R是反射率。
基本裝置包括：寬譜光源（通常為氙燈或鹵素燈）、單色儀（用于選擇特定波長的單色光）、斬波器（用于調制光信號以配合鎖相放大器檢測）、濾光片（用于去除雜散光和高階衍射光）、PEC測試池、以及用于精確測量入射單色光光子通量的已校準光電探測器（如硅或InGaAs探測器）。通過掃描單色儀的波長，并利用鎖相放大器等高靈敏度電流檢測技術記錄對應的光電流，即可得到EQE隨波長變化的光譜。
光譜響應范圍：確定材料能夠有效利用的太陽光波長區(qū)間。
波長依賴效率：揭示器件在不同波長下的光電轉換性能，找出性能瓶頸所在的波段。
能隙估算：可以從EQE光譜的吸收邊緣（即EQE開始顯著下降的位置）估算材料的光學能隙。
損失機制分析：通過測量反射率并計算IQE，可以區(qū)分光學損失（反射）和內部電學損失（復合、電荷收集效率低）對總效率的貢獻。
Jsc計算與驗證：將測得的EQE光譜與標準太陽光譜與標準太陽光譜（如AM1.5G）進行積分，可以計算出理論上的短路電流密度Jsc(EQE)。將此值與IV量測得到的Jsc(SS)進行比較，是驗證量測準確性和器件性能一致性的重要手段。
EQE/IPCE量測深入揭示了光電轉換過程中的基本物理環(huán)節(jié)，包括光吸收、電荷產生、分離、傳輸和收集效率與波長的關系。這些微觀層面的信息對于理解材料的光電特性、診斷性能限制因素、指導材料改性和器件結構等等重要參考。
| 指標(Metric) | 定義/公式(Definition/Formula) | 常用單位(Unit) | 重要性(Importance) |
|---|---|---|---|
| 太陽能到氫能轉換效率(STH Efficiency) | ηSTH = (Jsc × Vbias=0 × FF × ηFaradaic) / Pin (簡化式，實際計算更復雜) | % | 衡量PEC器件整體性能的最終指針 |
| 光電流密度(Jph) | Jlight?Jdark | mA/cm2 | 反映光電極的光響應活性 |
| 起始電位(Onset Potential) | 光電流開始產生的電位 | V vs. RHE/NHE | 反映水分解反應的熱力學和動力學難易程度 |
| 外部量子效率(EQE/IPCE) | 收集的電子數(shù)/入射的光子數(shù)×100% | % | 衡量器件在特定波長下將光子轉化為電子的效率 |
| 能隙(Eg) | 半導體導帶底與價帶頂?shù)哪芰坎?/td> | eV | 決定材料的光吸收范圍和產生的光電壓 |
| 穩(wěn)定性(Stability) | 在特定條件下維持性能的時間 | 小時(h) | 決定器件的實際應用壽命和可行性 |
在實際研究中，經常會發(fā)現(xiàn)通過EQE積分計算得到的Jsc(EQE)與在太陽光模擬器下直接測量的Jsc(SS)存在差異。
理想情況下兩者應相等，但實驗中的多種因素都可能導致偏差。例如，太陽光模擬器的光譜與標準AM1.5G光譜的失配（即使是Class A也允許±25%的偏差）、光源的時間不穩(wěn)定性或空間不均勻性、樣品對光強度的非線性響應、PEC體系中較慢的電荷轉移動力學（導致穩(wěn)態(tài)電流測量不準確）、以及樣品在量測過程中的降解等。仔細分析這種失配的大小和原因，對于驗證實驗結果的可靠性、診斷儀器問題或揭示樣品本身的特性至關重要。通常認為，小于5%的失配表明量測系統(tǒng)和操作較為規(guī)范可靠。
相較于固態(tài)光伏（PV）器件，PEC體系的量測環(huán)境本身就更為復雜。樣品浸泡在液態(tài)電解質中，面臨著腐蝕性環(huán)境、溶液電阻、反應過程中產生的氣泡可能遮擋光線或覆蓋電極活性位點等問題。此外，離子擴散和界面處pH梯度的形成也可能隨時間影響電極電位和反應動力學。半導體/電解質界面的電荷轉移過程可能較慢，對量測的時間尺度提出特殊要求。這些因素都給準確、可重復地獲取IV和QE數(shù)據(jù)帶來了額外的挑戰(zhàn)，遠超常規(guī)PV測試，因此需要更為專業(yè)化的實驗裝置和更為嚴謹?shù)牟僮饕?guī)程。
相較于傳統(tǒng)光伏器件，PEC水制氫系統(tǒng)在液相電解質中運行，這導致了幾個特殊的測量挑戰(zhàn)：
光路折射與散射問題：入射光通過氣-液界面時會發(fā)生折射，同時電解質溶液可能引起光散射，這些效應會改變實際到達光電極表面的光強分布與光譜特性。根據(jù)Fresnel方程，在水/空氣界面，約有2%的光通量會因反射而損失，并且當入射角增大時，這一損失會顯著增加。
溶液中的光強衰減：電解質溶液對特定波長的光存在吸收，特別是在紫外區(qū)域，這可能導致光強的非線性衰減。例如，1cm厚的水層會吸收約40%的300nm紫外光，而對800nm的紅外光幾乎沒有吸收。
電極/電解質界面動態(tài)變化：在測量過程中，界面處可能發(fā)生氣泡生成、局部pH變化、表面吸附/脫附等現(xiàn)象，這些都會導致光電流的時間依賴性波動。
參比電極與工作電極的空間分離：在三電極體系中，參比電極與工作電極間的距離會導致非補償電阻(uncompensated resistance)，特別是在低導電性電解質中，這可能顯著影響電壓測量的準確性。
傳統(tǒng)光伏測量設備通常設計為垂直向下照射平放樣品，然而PEC水制氫研究中：
電極垂直浸入要求：為了使氣泡自由脫離電極表面并維持穩(wěn)定的液-固界面，PEC電極通常需要垂直浸入電解質溶液中，這要求光源能夠提供水平方向的照射。
照射均勻性挑戰(zhàn)：對于垂直放置的樣品，確保整個電極表面接收均勻光照變得更加困難，尤其對于大面積電極。
電極背面照射需求：某些研究設計如p-n光電極或具有透明導電背接觸的結構，可能需要從電極背面進行照射，這進一步增加了光路設計的復雜性。
電極位置敏感性：由于光強隨電解質深度的衰減，微小的電極位置變化可能導致實際接收光強的顯著變化，影響測量重復性。
太陽光模擬器是光伏研究的基石，其重要性無需贅述。然而，當我們將目光轉向太陽能水制氫，尤其是PEC光電極或集成式PV-E微反應器的測試時，會發(fā)現(xiàn)傳統(tǒng)為固態(tài)太陽能電池設計的測試標準與設備配置，已難以滿足我們的需求。
PEC實驗面臨的更大挑戰(zhàn)在于樣品的放置方式。如前所述，為了讓反應產生的氣泡（H?和O?）順利脫離電極表面，避免遮擋活性位點影響反應持續(xù)進行，實驗中常將光電極樣品垂直放置在充滿電解液的反應池中。這就要求太陽光模擬器的光束必須能夠從側面（水平方向）照射到樣品上。但市面上絕大多數(shù)標準太陽光模擬器都是向下出光設計，無法滿足這一需求。尋找一款既能滿足IEC60904-9 A+級光譜匹配度和A+級時間穩(wěn)定性，又能提供穩(wěn)定、校準的側向出光功能的太陽光模擬器，一直是困擾PEC研究人員的一大難題，與標準PV測試中樣品水平放置、光源垂直照射（Top-down）的模式截然不同，PEC/PV-E實驗的核心場景是：將光電極或集成器件垂直或傾斜浸沒于特定的電解液反應池中。這個反應池不僅包含電解質，還需容納對電極（Counter Electrode）、參比電極（Reference Electrode），并預留氣體逸出信道和光學窗口。這就意味著，傳統(tǒng)的頂照式太陽光模擬器變得極為尷尬：
光路遮擋與復雜化：若強行使用頂照光源，光線必須穿過電解液上方空間、電極引線、氣泡等，造成嚴重的光強損失、不均勻性以及難以預測的散射。研究人員常常被迫采用反射鏡系統(tǒng)來改變光路，試圖實現(xiàn)側面照射，但這不僅增加了光程，引入額外的光學損耗和潛在的光譜失真，更使得光斑定位、均勻性校準變得異常困難和不可靠。
空間限制與操作不便：頂部光源往往占據(jù)了反應池上方的寶貴空間，給電極連接、電解液添加/更換、氣體收集管路布置帶來極大不便。
==>核心需求：原生支持高質量側向（水平）光束輸出的太陽光模擬器。這種設計能直接、無遮擋地照射垂直放置的樣品有效區(qū)域，最大限度地簡化光路，確保光能的有效利用和測試幾何的標準化。
水分解反應的動力學過程對光照條件的瞬時變化異常敏感。光強的任何微小波動都可能直接體現(xiàn)在光電流或產氫速率的讀數(shù)上，尤其是在進行長時間穩(wěn)定性測試（例如數(shù)小時甚至數(shù)百小時的計時電流/電位法，Chronoamperometry/Chronopotentiometry）來評估器件壽命與衰減機制時。
光譜匹配度：為何追求A+級別，尤其是光譜匹配度？因為許多新型光電材料，包括鈣鈦礦以及一些PEC光吸收材料，其光電響應對特定波長（尤其是近紫外和近紅外區(qū)域的吸收邊緣）非常敏感。即使是符合Class A標準的模擬器，其在某些波段高達±25%的光譜偏差也可能導致對這些材料的Jsc和效率評估產生不可忽略的誤差。例如，研究表明，使用等級A光譜模擬器測試鈣鈦礦電池，其Jsc(SS)與Jsc(EQE)的差異可達2%以上，而使用A+級光譜模擬器則可將差異降至0.1%左右。在追求效率極限的競賽中，百分之零點幾的效率差異可能就意味著一項世界紀錄的誕生。因此，采用光譜保真度更高的A+級太陽光模擬器對于獲取更精準、更可靠的數(shù)據(jù)至關重要。
Enlitech SS-X系列在光譜質量上符合IEC 60904-9:2020標準的要求，其輸出光譜與標準太陽光AM1.5G的匹配度達等級A甚至A+級，涵蓋從紫外(UV)到近紅外的關鍵波段(300~1800nm)，滿足各種太陽能材料對光的需求。
時間穩(wěn)定性(Temporal Instability)：IEC60904-9 Ed.3標準中的A+級別（通常要求短期<0.5%,長期<1%）對于水制氫研究而言是很低的要求而非理想目標。任何超出此范圍的波動都可能掩蓋真實的器件衰減趨勢，或被誤判為性能波動。尤其在研究緩慢的光降解或催化劑失活過程時，光源自身的波動是不可接受的噪音來源。
空間均勻性(Spatial Non-uniformity)：同樣需要達到等級A（通常要求<2%的不均勻度）。對于面積較大的光電極或需要進行局部性能分析（如掃描光電流成像）的研究，光斑內任何顯著的強度差異都會導致電流密度的計算偏差，誤導對材料均一性或器件性能瓶頸的判斷。
==>核心需求：具備高精準度（至少光譜匹配度與光強穩(wěn)定度達A+級別）的光源，尤其是時間穩(wěn)定性必須高度可靠，以支撐長時間、高精度的穩(wěn)定性評估和動力學研究。
研究光電流密度(Jph)或產氫速率隨入射光強(Pin)的變化關系，是揭示器件內部復合機制（如陷阱輔助復合、Auger復合）、電荷傳輸限制以及反應動力學（如表面態(tài)、物質傳輸）的關鍵手段。這要求太陽光模擬器能夠：
寬范圍、高精度調光：通常需要覆蓋至少0.1sun到1.0sun（甚至更高，如1.2suns用于模擬聚光條件或加速老化測試）的范圍，且調節(jié)步長精細（如達到0.1%級別）。
光譜不變性：最關鍵的是，在整個光強調節(jié)過程中，光源的光譜分布必須保持高度穩(wěn)定（即符合AM1.5G光譜的要求），否則光強變化帶來的性能改變會與光譜變化引起的效應耦合在一起，無法分離變量，得出錯誤結論。
==>核心需求：能在寬范圍內實現(xiàn)全自動、高精度、且光譜分布保持恒定的光強調控能力。
| 參數(shù)(Parameter) | Class A+要求 | Class A要求 |
|---|---|---|
| 光譜匹配度(Spectral Match)(300-1200nm,6個區(qū)間) | 每個區(qū)間偏差在0.875-1.125(±12.5%)之間 | 每個區(qū)間偏差在0.75-1.25(±25%)之間 |
| 空間均勻性(Spatial Non-Uniformity) | ≤1%(A+)或≤2%(A) | ≤2% |
| 時間不穩(wěn)定性(Temporal Instability)(短期) | ≤0.25%(A+)或≤0.5%(A) | ≤0.5% |
在深刻理解上述水制氫研究特別且嚴苛的光源需求后，光焱科技(Enlitech)傾力打造的SS-X系列太陽光模擬器，正是為了解決這些核心痛點而生。它不僅僅是一個光源，更是針對前沿研究需求的精密儀器：
原生的四向出光靈活性：針對這一痛點，光焱科技（Enlitech）的SS-X系列太陽光模擬器提供了一個理想的解決方案。該系列模擬器不僅在核心性能上達到了IEC60904-9:2020標準的A+級光譜匹配度、等級A空間均勻度和A+級時間穩(wěn)定性，更具備創(chuàng)新的四向出光功能。除了標準的向下出光，還可以選擇向上出光（便于整合手套箱）以及左側或右側水平出光，適配垂直樣品的水分解實驗需求。光焱科技甚至推出了針對水分解量測的特定選配方案，進一步優(yōu)化了其在該領域的適用性。此外，其創(chuàng)新的SS-IRIS技術，可以在不改變光譜的前提下，實現(xiàn)光強從0.01sun到最高1.2sun（根據(jù)用戶需求配置，部分型號可達更高強度）的精確、自動化連續(xù)調控，這對于研究光強依賴性效應以及模擬不同光照條件下的器件性能非常有價值。其良好的手套箱整合能力也滿足了對空氣敏感材料的研究需求。
優(yōu)秀的性能評級、高度光譜匹配：SS-X系列全面符合并超越IEC 60904-9:2020 ED3最新標準，其光譜匹配度、時間穩(wěn)定性關鍵指標均達到最高A+級別。特別是其優(yōu)秀的時間穩(wěn)定性，為長時間穩(wěn)定性監(jiān)測和精密動力學研究提供了堅實的基礎。
精準穩(wěn)定的光譜不變調光：SS-X系列內置了先進的控制系統(tǒng)，可在不改變AM1.5G光譜特性的前提下，實現(xiàn)從低光強到高達1.2suns(120mW/cm2)的全自動、高分辨率（<0.1%步進）連續(xù)光強調變。這為深入研究光強依賴性提供了強有力的工具。
水制氫專屬優(yōu)化與集成：我們還提供針對水制氫研究的特定選配方案，進一步優(yōu)化水平光束質量，并確保與常見的反應池尺寸和光學窗口兼容。同時，SS-X可方便地與手套箱等環(huán)境控制設備集成，滿足對空氣敏感材料（如鈣鈦礦光電極甚至有機材料）的測試需求。
SS-X系列模擬器以其創(chuàng)新的多向出光設計和頂級的光源性能，直擊了水制氫研究在標準光源配置上的核心難題，為追求高質量、高重復性數(shù)據(jù)的研究者提供了一個真正得心應手的解決方案。
在評估水制氫系統(tǒng)性能時，除了宏觀的IV特性和產氫量，深入理解光生載流子在器件內部的產生、分離、傳輸及注入催化層的全過程，離不開量子效率(QE)或更準確地說是光電流效率譜(Incident Photon-to-Current Efficiency, IPCE)的測量。
量子效率（Quantum Efficiency, QE）通常是一項重要指標，就如同太陽能電池會測量在不同波長光照下產生電流的外部量子效率(EQE)，水制氫研究者也希望了解其光電化學電極或光催化劑對各波長光子的利用效率。
與IV量測類似，標準的QE/IPCE量測系統(tǒng)通常也是采用垂直向下的光路設計。要測量垂直浸泡在電解液中的樣品的量子效率，同樣需要將來自單色儀的單色光束轉換為精準的水平方向輸出。這不僅要求光束具有良好的準直性，能夠穿過反應池窗口和電解液精確照射到樣品的活性區(qū)域，還需要配套的樣品夾具能夠將樣品定位在光路上，并且參考光電探測器也能夠在同一水平面上準確接收光束以進行光強校準。整個光路的設計、對準和校準都比標準設置復雜得多。市面上普通的QE系統(tǒng)顯然無法滿足這種特殊的側向照射需求。
然而，對于水制氫裝置進行QE量測，實驗設計與傳統(tǒng)太陽能電池測試有所不同，因而面臨幾項艱難挑戰(zhàn)：
裝置結構與環(huán)境：光電化學水分解通常涉及沉浸在電解液中的光電極。與干式的太陽電池不同，這種裝置需要在液相中運作，光必須穿過透明容器（如石英玻璃窗）射入液體才能抵達光電極表面。液體介質的存在會引入光路中的折射、反射與額外吸收，傳統(tǒng)QE量測系統(tǒng)若未針對這種情況進行校正，直接套用可能導致測得的光強或效率不準確。此外，光電極常是垂直放置、正對光源。如果使用一般為平面樣品設計的QE測試儀（通常光從上往下照射水平放置的樣品），就無法正確照射到垂直的光電極，需要另行調整光路。
光源與偵測靈敏度：QE量測通常使用單色光掃描不同波長，這意味著在特定波長時光源強度可能很弱，產生的光電流也非常微小。對于效率不高的水制氫材料，在某些波長下電流甚至淺于噪聲水平。傳統(tǒng)QE設備大多針對高光電轉換效率的太陽能電池優(yōu)化，直接用于低電流的光電化學電池時，可能出現(xiàn)訊號偵測不足或噪聲過高的問題，需要額外的鎖相放大器等技術支持。此外，如果沒有適當?shù)膮⒖夹?，例如先在空氣中以標準太陽電池測定光強，再換到水溶液環(huán)境時，由于介質差異導致的光通量改變可能造成結果誤差。
光焱科技的QE-R量子效率量測系統(tǒng)，一款以高精度、高重復性著稱的儀器，特別推出了針對水分解研究的選配方案(QE-R水制氫量測選配方案)，為光電化學與光催化實驗量身打造精準的光譜響應測試工具。QE-R方案的一大特色在于該方案的核心是對光路進行了精密的重新設計與改造(精準的變更光路設計)，使其能夠實現(xiàn)穩(wěn)定、準確的水平側向單色光輸出(水平側向出光)：相較傳統(tǒng)QE系統(tǒng)自上而下的照射方式，QE-R能將單色光水平投射，方便直接照射位于電解池側面的光電極或反應區(qū)域。這種設計適配典型水制氫實驗配置（例如垂直放置的光電極），確保每一個波長的光都能有效地打在作用表面，而無需為遷就光路來改變樣品擺放方式。配合專門設計的樣品夾具和校準流程，研究人員可以在保持QE-R系統(tǒng)固有高精準度(保證其精準性)的前提下，方便地對垂直浸沒在電解液中的光電極樣品進行EQE/IPCE光譜量測。這直接攻克了PEC研究中QE量測的幾何限制難題。
為了保證量測精準，QE-R方案在光源校準和偵測上也下足工夫，系統(tǒng)配備高穩(wěn)定度的全光譜光源和高靈敏度檢測器，搭配鎖相放大技術，可以解析出極微弱的光電流訊號。
考慮到光在水溶液與石英介質中的傳播特性差異，QE-R在校正流程中加入了專門的參考校準步驟，確保不同波長的實際入射光功率都得到精確計算。也就是說，研究者在使用QE-R時，可以信賴其測得的每一組量子效率數(shù)據(jù)，無需擔心因實驗裝置幾何或介質差異而產生隱藏誤差。
QE-R方案還充分考慮了實驗便利性。它的設計可無縫銜接前述SS-X系列太陽光模擬器和夾持系統(tǒng)，使研究人員能在同一套裝置上完成光譜響應測試與長時間光照實驗，而無需反復更換設備。
光有優(yōu)秀的光源還不夠，要獲得可靠的實驗數(shù)據(jù)，樣品的擺放與固定同樣關鍵。將光電極樣品穩(wěn)固地安裝在PEC測試池中，確保良好的電接觸，精確限定受照面積，同時防止電解液泄漏或污染，是獲得準確實驗結果的基礎，但操作起來卻頗具挑戰(zhàn)，在水制氫實驗中，研究者常需要將光電極固定在電解槽中適當?shù)奈恢?，例如讓電極正對光源且浸沒在電解液的指定深度。如果夾持不穩(wěn)固，實驗過程中電極位置稍有偏移，就可能改變受光面積或光路距離，影響量測結果。此外，不同實驗裝置的尺寸和形狀差異很大，從小型三電極電化學池到較大的兩電極光解水裝置，都需要對應的固定方式。
標準的PV樣品夾具不適用于液相環(huán)境。不恰當?shù)难b夾可能導致接觸電阻過大、受照面積定義不清、電解液泄漏、甚至樣品損壞，嚴重影響實驗的準確性和重復性。
因此，設計精良、使用方便的專用測試夾治具對于PEC實驗室關鍵因素。它需要能夠牢固固定不同尺寸和形狀的樣品，提供可靠的電接觸，精確定義光照窗口，并與反應池良好密封，同時還要耐受腐蝕性電解液。
光焱科技深刻理解研究人員在此方面遇到的困難，除了提供高性能的儀器，還可為水分解研究提供專屬的夾治具解決方案更重要的是，光焱科技能夠配合客戶的具體需求進行局部客制化微調，以合理的價格量身打造適合研究者特定反應池設計和實驗流程的樣品臺和夾具，從而顯著提升實驗的精度、效率和便捷性。
針對水制氫實驗中各式各樣的電池與反應器，Enlitech光焱科技提供了專屬的夾具與樣品載臺配套，確保樣品在光照過程中維持最佳位置和狀態(tài)。
光焱科技Enlitech深知這些需求，因此開發(fā)了模塊化的夾具系統(tǒng)，提供的水制氫專用夾治具方案，不僅提供標準化設計，其靈活的局部客制化服務，更能與搭載了水制氫模塊的SS-X太陽光模擬器以及QE-R量子效率雙重配合，確保從光源到樣品的每一個環(huán)節(jié)都達到高標準。
以SS-X四向出光模擬器的應用為例，其專用夾具能將樣品精確地置于側光光源匯聚的中央位置，保證每次實驗中樣品受光條件一致。不僅夾持牢固，夾具還預留了電極接線和電解液容器的空間，方便接入測試線路和氣體收集裝置。而對于需要特殊角度照射或特定傾斜擺放的樣品，Enlitech也提供客制化的微調機構，研究人員可微調樣品的角度、高度，獲得理想的光照幾何條件。同時，所有夾具材料均選用抗腐蝕材質，適合長時間接觸電解液，避免雜質污染實驗。
透過這些貼心設計，Enlitech光焱科技的樣品夾治具有效減少了人工調整與臨時固定帶來的誤差風險。每次實驗都能在高度可重復的條件下進行，提升數(shù)據(jù)的一致性。不論是進行長時間耐久性測試還是精準的量子效率掃描，有了穩(wěn)定的夾持系統(tǒng)，研究者不需顧慮，且相信裝置的位置與狀態(tài)不會成為變量，把全部精力投入科學問題本身。
這些針對PEC水分解特殊需求的專用設備（如具備側向出光的A+級太陽光模擬器、可水平出光的QE系統(tǒng)、以及客制化的夾治具）的出現(xiàn)，標志著該研究領域已經從早期的基礎材料探索階段，發(fā)展到了對實驗精度和設備專業(yè)化程度要求更高的階段。為了深入理解復雜的反應機制（如界面動力學、降解過程）、追求更高的效率和穩(wěn)定性，研究人員必須最大限度地減少實驗誤差和人為干擾，這就要求使用專門優(yōu)化設計的、高質量的量測基礎設施。此外，許多前沿的PEC材料（如鈣鈦礦或特定的催化劑/界面修飾層）對空氣、濕氣等環(huán)境因素非常敏感。因此，將太陽光模擬器、QE系統(tǒng)等精密量測儀器與手套箱等可控氣氛環(huán)境進行無縫整合，已成為進行材料研究的必要條件，而非僅僅是特殊需求。PEC研究艱難而特別的實驗環(huán)境——樣品浸沒于液體中、常需垂直放置、反應伴隨氣體產生——對傳統(tǒng)的測試儀器提出了嚴峻的挑戰(zhàn)，尤其是在高保真度光源的側向照射和浸沒樣品的量子效率測量方面。這些實驗難點的存在，使得投資于專門為PEC研究設計和優(yōu)化的高性能表征設備，不再是一種奢侈，而是確保數(shù)據(jù)質量、提高研究效率、加速技術突破的必要保障。
同行們，太陽能水制氫研究的深入發(fā)展，迫切需要更專業(yè)、更適配的表征工具。光焱科技(Enlitech)洞察到了這一需求，沒有選擇開發(fā)全新的、可能功能單一的設備，而是采取了更具智慧和前瞻性的平臺化+模塊化策略。
光焱科技（Enlitech）作為專注于光電量測解決方案的提供者，始終致力于與科研界緊密合作，深刻理解前沿研究所面臨的挑戰(zhàn)與需求。我們提供的SS-X系列A+級太陽光模擬器，憑借其優(yōu)秀的光譜保真度、穩(wěn)定性以及創(chuàng)新的四向出光（含側向）能力，為PEC研究提供了理想的光源保障。而QE-R量子效率系統(tǒng)的水分解測量選配方案，則通過創(chuàng)新的水平光路設計，精準解決了垂直浸沒樣品的QE測試難題。結合可客制化的專用夾治具，光焱科技旨在為全球太陽能水分解研究人員提供一整套量身定制的、高精度、高效率的量測解決方案，助力科學家們攻克難關，這種策略的核心是賦能(Empowerment)。我們相信，通過為平臺賦予精準解決特定領域挑戰(zhàn)的能力，能夠最大限度地提升您的研究效率，保障您的數(shù)據(jù)質量，加速您在太陽能水制氫領域的探索與突破。
如果您正在為水制氫光電表征的難題而困擾，或者希望了解如何利用SS-X或QE-R平臺的模塊化升級來提升您的研究能力，我們非常期待與您進行更深入的技術探討。讓我們攜手，用更智能、更精準的工具，共同迎接綠色氫能時代的到來！
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